MMBT6428LT1G

Техническое характеристики

Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Производитель	ON Semiconductor
Корпус	SOT-23-3
Вид монтажа	SMD/SMT
Полярность транзистора	NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс	50 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.6 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	700 MHz
Максимальный постоянный ток коллектора	0.2 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Максимальная рабочая температура	+ 150 C