SI7145DP-T1-GE3

Техническое характеристики

Категория продукта	МОП-транзистор
Производитель	Vishay/Siliconix
Корпус	SO-8
Вид монтажа	SMD/SMT
Количество каналов	1
Полярность транзистора	P
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Id - непрерывный ток утечки	60 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.1 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.3 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Qg - заряд затвора	413 nC
Pd - рассеивание мощности	104 W
Время спада	27 ns
Время нарастания	13 ns
Типичное время задержки выключения	130 ns
Типичное время задержки при включении	27 ns
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Максимальная рабочая температура	+ 150 C