+7 (916) 247-16-28

Заказать звонок

Мы находимся по адресу: 105094, г. Москва, ул. Семеновский вал, дом 6Г, стр.3

Общество с ограниченной ответственностью «СпецТехноПоддержка» (ООО «СТП»)

Екатерина - ekaterina@sptechsp.com

Алина - alina@sptechsp.com

Остались вопросы?


Отправляя форму, даю согласие на обработку своих персональных данных в соответствии с Федеральным законом «О персональных данных» от 27.07.2006 № 152-ФЗ

SIR422DP-T1-GE3

Техническое характеристики

Категория продукта МОП-транзистор
Производитель Vishay/Siliconix
Корпус SO-8
Вид монтажа SMD/SMT
Количество каналов 1
Полярность транзистора N
Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
Id - непрерывный ток утечки 20.5 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6.6 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Qg - заряд затвора 48 nC
Pd - рассеивание мощности 34.7 W
Время спада 11 ns
Время нарастания 84 ns
Типичное время задержки выключения 28 ns
Типичное время задержки при включении 19 ns
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Узнать цену

Заказ обратного звонка